AI算力卷到白热化，芯片却快“热炸”了！
英伟达H100峰值功耗超700W，下一代Rubin处理器直奔1800W，2029年甚至要冲到6000W。算力飙升的背后，是传统封装的“崩溃”——硅中介层散热跟不上、容易开裂，CoWoS封装的“功耗墙”成了AI算力的致命瓶颈。
而破局的关键，藏在“先进封装+SiC”的组合里。台积电广发英雄帖推进SiC中介层，英伟达计划2027年导入12英寸SiC衬底，产业巨头集体押注。
A股市场早已闻风而动：先进封装指数年初至今涨幅超14%，单日成交额破50亿，、等SiC标的异动，一场由“AI算力刚需+SiC技术突破+国产替代”驱动的盛宴，已经开席！
（来源：）
01
算力需求飙升，先进封装成破局关键
AI大模型训练、数据中心算力需求呈指数级飙升，直接把芯片推向“功耗极限”。2025年中国智能算力规模达1037.3 EFLOPS，2026年还要再涨40%，但传统封装早就扛不住了。
芯片性能每提升1倍，功耗就要翻3倍，而硅中介层的热导率只有148 W/m·K，根本散不掉超高功率带来的热量。更麻烦的是，随着CoWoS中介层尺寸变大，硅材质容易分层开裂，良率大幅下降。
（来源：研究所）
这时候先进封装站了出来。通过2.5D/3D堆叠、混合键合、SiC中介层替代等技术，不仅能解决散热难题，还能让芯片互连密度提升10倍以上，成为超越摩尔定律的核心抓手。Yole预测，2030年全球先进封装市场规模将突破790亿美元，其中2.5D/3D封装增速高达37%，妥妥的高景气赛道。
02
从2.5D到SiC，技术迭代不停
先进封装的核心升级逻辑，是“材料+工艺”双突破，尤其是SiC的加入，让行业迎来质变。
先看工艺迭代：传统2.5D封装靠硅中介层连接芯片，但性能见顶；3D封装通过混合键合技术，实现铜-铜直接连接，互连间距从20μm缩小到<10μm，信号延迟降低30%。台积电SoIC、英特尔Foveros等技术已经落地，2026年混合键合将进入规模化应用。
再看材料革命：SiC成了中介层的“最优解”，不过经济性尚有欠缺。它的热导率达490 W/m·K，是硅的3倍多，莫氏硬度9.5，抗开裂能力远超硅和玻璃。更关键的是，SiC能实现高深宽比通孔设计，优化布线密度，让芯片传输速度再提20%。
（SiC在热性能、硬度等关键的指标上强于Si，来源：华西证券研究所）
行业层面来看，2027年预计将是SiC中介层量产元年。按CoWoS 35%复合增速、70%替换SiC测算，2030年需要超230万片12英寸SiC衬底，等效6英寸920万片，远超当前全球产能，缺口巨大。
03
设备+材料+OSAT，龙头抢跑
先进封装的爆发，不是单点机会，而是全产业链的共振，设备、材料、OSAT（封测）三大赛道齐发力。
OSAT是直接受益端。长电科技XDFOI方案覆盖2.5D/3D封装，大尺寸FCBGA进入量产，盛合晶微硅中介层技术已量产，深度绑定华为昇腾等客户。全球封测格局中，长电科技、通富微电稳居全球前十，国产替代份额持续提升。
材料赛道是核心瓶颈突破点。封装基板（、）、PSPI（、）、CMP抛光液（）等关键材料国产化率快速提升。尤其是SiC衬底，天岳先进全球市场份额16.7%排名第二，晶盛机电12英寸中试线已通线，与意法半导体合资建厂，产能持续释放。
（SiC国产厂商进展情况，来源：华西证券研究所）
设备赛道是量产关键。混合键合机（、）、CMP设备（）、激光划片机（）等设备厂商突破海外垄断。2024年中国半导体封装设备市场规模达282.7亿元，同比增长18.9%，随着SiC中介层量产，设备需求将进一步爆发。
04
淘金指南：4个方向蹲住千亿红利
先进封装+SiC的增长逻辑清晰，聚焦4个方向，既能抓确定性，又能享弹性。
1.SiC材料及设备
押注量产前夜优先关注12英寸SiC衬底及设备企业。衬底端看天岳先进（全球第二，12英寸已量产）、三安光电（与意法合作，8英寸产能爬坡）；设备端盯晶盛机电（长晶炉+衬底加工双布局）、（SiC长晶炉），分享2027量产潮红利。
2．先进封装OSAT：国产替代核心
锁定技术突破+客户绑定的龙头。长电科技（XDFOI方案落地，全球第三）、通富微电（AMD核心供应商，CoWoS类方案突破）、盛合晶微（硅中介层量产，华为供应链核心），受益于海外产能缺口和国产替代。
3．关键材料：攻克瓶颈环节
布局封装基板、PSPI、CMP材料等细分龙头。深南电路（FCBGA基板量产）、鼎龙股份（PSPI+抛光垫双突破）、安集科技（CMP抛光液+电镀液全覆盖），随着先进封装渗透率提升，材料需求持续放量。
4．混合键合及3D封装：技术迭代先锋
关注前沿技术落地企业。拓荆科技（混合键合设备获重复订单）、芯源微（临时键合/解键合设备放量）、华海清科（12英寸减薄机批量供货），把握从“0到1”的商业化机遇。
05
结语
从AI算力催生的刚需，到SiC技术的突破，再到国产替代的窗口期，先进封装行业已经从“半导体后道工序”升级为“算力核心载体”，成为支撑AI、数据中心、智能驾驶的关键赛道。
当前行业处于爆发前夜：2027年SiC中介层量产将打开新增长空间，国内企业在SiC衬底、封装设备、OSAT等环节均已实现突破，产业链优势显著。
格隆汇研究院持续跟踪先进封装全产业链，聚焦SiC量产进度、海外订单突破、技术迭代三大核心指标，多维度挖掘优质标的。
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